1. 晶圓


去除光刻膠：傳統(tǒng)的濕化學(xué)方法去除晶圓表面的光刻膠存在反應(yīng)不能精準(zhǔn)控制，清洗不徹底，容易引入雜質(zhì)等缺點。而作為干式方法的晶圓級封裝等離子清洗設(shè)備表面處理可控性強，一致性好，不僅可以徹底去除光刻膠和其他有機物，而且還可以活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性。

2. 引線框架


銅引線框架：處于對性能和成本的考慮，微電子封裝領(lǐng)域目前主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架。銅的氧化物與其它一些有機污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時也會影響芯片的粘接和引線鍵合質(zhì)量，經(jīng)過晶圓級封裝等離子清洗設(shè)備表面處理銅引線框架，可去除有機物和氧化層，同時活化和粗化表面，確保打線和封裝的可靠性。

3. 引線鍵合



引線鍵合：引線鍵合的質(zhì)量對微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機污染物等都會嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。等離子清洗設(shè)備表面處理能有效去除鍵合區(qū)的表面污染物并使其粗糙度增加，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。